ოპერატიული დამახსოვრების მოწყობილობა, (ინგლ. Random-access memory; RAM), რეალუზებულია ზედიდი ინტეგრალური სქემის სახით. მონაცემების წაკითხვის, ან ჩაწერის დრო 60+ ნანოწამია (60x10^-9წმ). არსებობს ორი ტიპის ოპერატიული დამახსოვრების მოწყობილობა: სტატიკური და დინამიკური. სტატიკური ოპერატიული დამახსოვრების მოწყობილობაში ელემენტარული უჯრედის როლში ინტრიგერული სქემა გამოდის. ასეთი სქემა იმპულსის მიღებამდე, ან კვების გამორთვამდე ინარჩუნებს ერთ-ერთ მდგომარეობას 0, ან 1. უჯრაში ჩაწერილი ინფორმაციის წაკითხვისას მისი მდგომარეობა არ იცვლება. დინამიკური მოდელი შედგება მიკროსკოპული ტევადობისგან (კონდესატორებისგან). ნებისმიერიკონდესატორი შეიძლება იყოს ორ მდგომარეობაში: დამუხტული, ან დაუმუხტავი. ასეთ მეხსიერებაში ჩაწერილი მონაცემების დასამახსოვრებლად საჭიროა დაუმუხტავი კონდესატორების პერიოდულად დამუხტვა. ამის გამო დინამიკური მეხსიერება სტატიკურთან შედარებით ნელამოქმედია. სამაგიეროდ იგი ნაკლებად ენერგოტევადია. უნდა აღვნიშნოთ რომ ორივე ტიპის დამახსოვრების მოწყობილობა წარმოადგენს მცირე ზომის ნაბეჭდ პლატას, მასზე განლაგებული მიკროსქემებით. ოპერატიული დამახსოვრების მოწყობილობის გარდა, თანამედროვე პერსონალურ კომპიუტერებს გააჩნიათ ე.წ. ზეოპერატიული დამახსოვრების მოწყობილობა (ქეშ მეხსიერება), რომელიც უზრუნველყოფს ნელმოქმედი მოწყობილობის თავსებადობას, სწრაფმოქმედ მოწყობილობასთან. მაგალითად, მიკროპროცესორის დინამიკურ მეხსიერებასთან.

არსებობს ორი დონის ქეშ მეხსიერება: პირველი დონის 32 ბაიტის ტევადობით (ახლა უკვე 64), რომელიც ჩაშენებულია უშუალოდ მიკროპროცესორში და მეორე დონის 512 და მეტი ტევადობით. იგი ყენდება სისტემურ პლატაზე.